中共中央、国务院1月9日上午在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并为获奖代表颁奖。李克强代表党中央、国务院在大会上讲话。张高丽主持大会。中科院共获2014年度国家科学技术奖励32项。中科院作为第一完成人或完成单位，获自然科学奖二等奖20项、技术发明奖一等奖1项、技术发明奖二等奖4项、科技进步奖二等奖7项。

        半导体所“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”成果荣获国家科学技术发明二等奖，获奖人：李晋闽、王国宏、王军喜、伊晓燕、刘志强、戚运东。本项目历经十余年自主攻关，在半导体照明基础材料、新型器件集成技术方面取得一系列重大原创性技术发明：国际首创新型复合光学膜结构及制备技术，突破了传统金属反射镜反射率的制约；国际首创金属复合衬底结构，相关指标为国际最好水平；创造性提出金属极性面极化诱导p型掺杂技术，攻克了氮化物p型掺杂效率低这一世界性难题，相比常规技术空穴浓度提升一个数量级；提出了微纳图形衬底二次成核技术，首次在纳米图形衬底上外延出高质量高铝组分氮化物材料，AlN、GaN材料质量为国际最好水平。主要发明点均为国际首创，器件发光效率超过160lm/W，经查新及鉴定为国际最好水平。本项目建立了完善的技术发明创新体系，申请专利180 项，其中授权47项，包括两项美国发明专利，解决了我国在大功率LED领域核心专利缺失的关键问题，有力地支撑了产业发展，项目合作完成单位三年累计直接销售总额达到11.98亿元，成果在北京奥运会、人民大会堂、京沪高铁等国家重大工程得到充分展示。通过本项目实施，极大地推动了我国LED产业从无到有的跨越，促进了产业链向高端发展，经济和社会效益显著。

        党中央、国务院隆重奖励在我国科学技术事业发展中作出杰出贡献的科技工作者，充分体现了党和国家对我国科学技术事业发展的高度重视和对广大科技工作者的亲切关怀，极大地调动了科研工作者的积极性，欢迎各位老师积极申报国家奖，把我所各类优秀科研成果更好地展示出去。

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