2月27日，2014年度北京市科学技术奖励大会召开。微电子所科技成果“阻变存储器及集成中的基础问题”、“等离子体浸没离子注入机开发与应用”分别荣获北京市科学技术奖二等奖和北京市科学技术奖三等奖。 

　　阻变存储器（RRAM）作为重要的新型存储技术得到学界和业界广泛关注，是微电子领域的前沿和研究热点。微电子所刘明研究员团队针对RRAM性能提升和集成中的瓶颈问题，如材料/结构对器件性能影响规律、器件参数离散起源及电阻转变的物理机理等，开展了系统的研究，创新思想和学术成果在国际上引起了广泛关注。 

　　微电子所夏洋研究员团队研发的等离子体浸没超低能离子注入原理样机，应用于超浅结注入、三维Fin结构保形注入、黑硅太阳能电池的制备工艺，不仅满足了实验室用机的需求，也为发展我国自主知识产权的微电子关键装备进行了技术储备。

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