中红外2-3微米波段的半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学诊断等方面均有重要的应用，且在此波段的航天焦平面器件的测量表征方面也有迫切需求。此波段上的InP基无锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱激光器相比具有热导率高、衬底价格低质量好且易获得等优点，在材料生长和界面控制方面也具有优势。
中国科学院上海微系统研究所信息功能材料国家重点实验室化合物半导体方向的研究人员通过在InP衬底上采用气态源分子束外延方法生长三角形量子阱作为有源区的激光器结构，克服InAs和InP衬底的大晶格失配，能获得比传统方势阱激光器更优的性能。通过这种方法制备出的2-2.4微米波段范围一系列量子阱激光器均已实现室温连续工作，制备的2.4微米窄条激光器（6 µm×0.8 mm）在300 K时阈值电流仅62 mA，单面输出功率超过11 mW。此2.4微米InP基无锑量子阱激光器是目前国际上已有报道中室温激射波长最长的，达到了实用要求。该波段器件的系列研究结果已于2014年初发表在IEEE Photonics Technology Letters和Applied Physics Express上。
课题组基于该系列激光器研究结果进一步开发了USB供电便携激光器实用化模组，目前已经提供给用户单位进行使用，应用于航天短波红外光探测和焦平面器件测评。
2.4微米InP基无锑激光器在不同温度下的激射光谱和输出功率曲线
基于InP基无锑量子阱激光器发展的USB供电便携激光器实用化模组照片
文章来源：上海微系统与信息技术研究所
转载自http://www.cas.cn/ky/kyjz/201404/t20140428_4101973.shtml
