关键词：金属膜、氧化膜、分子束外延、MBE、化学束外延、CVD、激光辅助

                GSMBE、MOMBE、半导体膜、氧化膜、III-V族、 气源分子束外延    

            InAs/GaAs量子点激光器、GeSi/Si、GaN、InGaAs/InGaAsP

化学束外延生长法（Chemical Beam Epitaxy）是在分子束外延（MBE）和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的，通常用激光辅助化学束沉积方法可以制备各种半导体膜材、氧化物膜材。

化学束外延生长系统

化学束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化学气相沉积(CVD)优点，可以用来生长III-V族半导体薄膜，也可以用来沉积Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。CBE已经显示出非常显著的优越性，例如：

•    可控沉积和多元（3-5元、6元）掺杂、例如沉积GaAsInP；成分和厚度均匀性高（2% @直径300mm，无衬底旋转）；

•    样品生长速率范围大（10 nm/h至10μm/h）；前驱体转换率极高；衬底尺寸灵活：直径100 - 300mm或更大尺寸衬底；

•    按照设定模型，可一次性在一个衬底上生长高匹配的成分梯度或厚度梯度样品，以研究成分和厚度对薄膜性能的影响

•    准分子激光束/离子束/电子束辅助沉积3D复杂结构，在亚微米尺度上研究结构、形状和尺寸对纳米结构性能的影响；

•    获得多个欧盟项目支撑: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM；多种薄膜已经商业化：TiO₂, Al₂O₃, Ta₂O₅, Nb₂O₅, HfO₂等；

设备配置：

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