关键词：RIE、RIBE、反应离子束刻蚀、CAIEB、化学辅助离子束刻蚀、
过渡金属、磁性材料、MRAM、GMR、TMR、Pt、Cu、TeGe、PZT
型号：MU400S; 产地：欧洲；
应用：过渡金属, PZT, 磁性材料(MRAM, GMR, TMR), Pt, Cu, TeGe 等;
代表性用户：法国科学研究中心（CNRS）、意法半导体（ST）
基本配置如下：
主腔体：采用不锈钢，尺寸650mmx500mmx600mm
采用干泵+低温泵，真空度≤8×10-8mbar
样品台：水冷4英寸，可以旋转（转速可达10rpm），可以0-90°倾斜（精度和可重复性优于0.1°）
RF ICP 离子源：1000W，100-1000eV， 束径140mm
均匀性：±4% on 4英寸
气路：氩气气路、反应气路（用于反应离子束刻蚀RIBE）
刻蚀监控：SIMS，分子泵+干泵
Load Lock：可以加载4英寸衬底，电脑控制电动传动
采用干泵+分子泵抽气，真空度可达5x10-7mbar
控制系统：全自动控制，半自动和手动模式可用
支持多级用户权限设置和管理
支持设备远程操作、监控、诊断和维护
系统自动报警及定位故障
