关键词: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石、微波等离子体化学气相沉积系统
CVD金刚石合成设备、纳米晶金刚石、超纳米晶金刚石、UNCD、NCD、MCD、
Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
超高 纯度单晶、半导体、 掺杂、B-doping、N-doping、蓝钻、 粉钻、黄钻
型号：BJS150， 产地：欧洲
主要技术指标：
微波发生器：6 KW, 2.45GHz，脉冲功率模式可选
Ripple 2% at full power,
stability 1% at full power.
钟罩型腔体：非常适合生长单晶和掺杂。
支持高功率密度等离子体
工艺气压：高达300mbar或更高
生长速率：高达50μm/h
气 路：4条基本气路，分别为H2, O2, CH4, Ar;
可以最多增加额外3条气路
样 品 台：适合两英寸衬底，高度精密可调，衬底旋转可选
温度测试：采用双色红外高温计，范围475℃-1475℃
精度 ≤±10℃。
真空系统：采用分子泵+干泵
真空度≤5×10-7mbar
漏率 ≤10-9 mbar/l/s.
控制系统：配套有全自动控制系统、工业电脑、必要的数据接口及操作软件；
支持多级用户权限设置和多用户管理，系统支持设备的远程操作和维护；
系统含故障报警及定位功能，能及时提示相应故障部件。
支持半自动和手动操作模式。
设备应用：具备多种用途，以满足用户科研需要；
适合生长杂质浓度低于1ppb的超高纯度单晶，且有大量专业科技文献佐证；
适合金刚石掺杂（硼、磷等）研究及光学级多晶窗口生长。
工艺培训：原厂工程师现场演示金刚石生长，包括种子选择、种子预处理、
种子的固定及生长工艺等培训，并现场演示单晶生长；
原厂需具有高水平和丰富的金刚石生长工艺经验。
